美光3D NAND采用替代栅极架构 将于明年开始小范围量产
2019-10-09 16:14:12来源：中关村在线
美光集团CEO对此表示，目前已经成功完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片，这一里程碑的进展降低了产品技术向下一代技术过渡的风险，并且强调首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品
存储行业随着物联网时代的来临也迎来了一波新的发展机遇，近日，根据最新消息显示，美系存储巨头，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代产品基于美光全新研发的替代栅极架构，将于明年开始小范围量产。
根据知情人士透露，美光新型替代栅极架构将首次应用在128层闪存之中，继续沿用CMOS阵列，新一代的替代栅极结构有望让Die size和成本进一步减小。
美光集团CEO对此表示，目前已经成功完成替代栅极架构的3D NAND芯片的首次流片，这一里程碑的进展降低了产品技术向下一代技术过渡的风险，并且强调首代替代栅极架构将被应用在128层NAND产品上，先期会被应用到特定的产品线。
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